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IPB06CN10N G 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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IPB06CN10N G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.2 毫歐 @ 100A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 180µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：139nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：9200pF @ 50V
功率_最大：214W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-2
包裝：帶卷 (TR)

IPB06CN10N G供應(yīng)商

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